全球碳化硅晶圆市场预计2024年将达到6.32亿美元

调研机构：QYResearch

日期：2018/11/27 

碳化硅（SiC）是继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）之后发展起来的第三代宽禁带半导体（即SiC、GaN、ZnO、AlN、金刚石等）的代表，也是目前发展最成熟的第三代宽禁带半导体。

相比于第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs，第三代半导体SiC具有更高的热导率（热导率约是Si的3倍、GaAs的10倍），更高的击穿电场（击穿电场约是Si的10倍、GaAs的5倍）、更高的饱和电子漂移速率（饱和电子漂移速率约是Si和GaAs的2倍）、更宽的带隙（禁带宽度约是Si的3倍、GaAs的2倍）以及更好的热稳定性和化学稳定性。

随着下游需求的释放，全球碳化硅晶圆产量从2013年的31万片增加至2017年的45.4万片。主要生产商包括科锐，陶氏电子材料，SiCrystal等等。由于碳化硅晶圆存在较高的技术壁垒，市场集中度非常高。目前，美国，欧洲和日本是主要的消费地区。

按照尺寸的大小，碳化硅晶圆可分为2英寸，3英寸，4英寸，6英寸。目前4英寸是市场上最广泛使用的类型，6英寸的市场份额正在不断扩大，而8英寸晶圆正在研发当中。碳化硅晶圆行业正在不断升级。

随着下游半导体行业需求的增加，碳化硅晶圆市场也将迅速扩大。预计全球碳化硅晶圆市场2024年将达到6.32亿美元，2017年至2024年期间的年复合增长率为12.94%。

报告详情：https://www.qyresearch.com/index/detail/333244/global-silicon-carbide-wafer-market

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